Der Halbleitermarkt wird im Wesentlichen von kristallinem Silizium als Basiswerkstoff dominiert. Der stetige Trend zur Verringerung der Waferdicke stellt hierbei steigende Anforderungen an die Qualität der Bearbeitungsprozesse, da bei dünneren Wafern das Bruchrisiko erheblich zunimmt. Kristallines Silizium ist aufgrund des sprödbrüchigen Verhaltens hochsensibel für thermische Prozesse, dennoch ist durch den Einsatz von geeigneter Laserstrahlung ein berührungsloses Bearbeiten möglich. Für die Nutzung von leistungsstärkeren Laserstrahlquellen wird zukünftig im Hinblick auf die Bearbeitung gro�er Flächen bei kurzen Prozesszeiten eine massive Prozessparallelisierung notwendig sein.