Trennen von Halbleiterbauteilen

Siliziumwafer 2“ bis 8“

Aufgrund der konsequenten Dickenreduzierung bei den Wafern, wird eine schädigungsarme bzw. schädigungsfreie Bearbeitung zunehmend wichtiger. Halbleiter zeichnen sich insbesondere durch ihr sprödbrüchiges Verhalten aus, das eine mechanische Bearbeitung zunehmend erschwert. Weiterhin weisen Halbleiter ein stark wechselndes thermo-optisches Verhalten auf, wodurch bei der Laserbearbeitung insbesondere die Laserwellenlänge und die Pulsdauer entscheidend für die Bearbeitung im Hinblick Prozessgeschwindigkeit und die Qualität ist. Das LZH bietet ein breites Spektrum an Laserbearbeitungsmöglichkeiten:

• Schädigungsfreie Oberflächenstrukturierung
• Laserdicing, Lasertrennen
• Schadensanalyse der Bearbeitungskanten
• Laserbohren
• Optische Charakterisierung