Nanolithographie
Lithographische Verfahren werden heute routinemäßig zur Massenherstellung von Mikro- und Nanostrukturen – insbesondere Computerchips – verwendet. Die dabei eingesetzten Lithographieverfahren werden seit den 1960er Jahren laufend zur Erzeugung kleinerer Strukturen weiterentwickelt. Da absehbar ist, dass die heute verwendete Lasertechnologie bei 248 nm mittelfristig technisch ausgereizt sein wird und nicht mehr wirtschaftlich fortgeschrieben werden kann, entwickelt die Halbleiterindustrie mit hohem Druck Nachfolgetechnologien.
Vorgesehen ist ein Technologiesprung von Strahlungsquellen bei 248 nm nach 13,5 nm. So soll auch in Zukunft sichergestellt werden, dass immer kleinere und leistungsfähigere Mikrochips hergestellt werden können. Die Gruppe EUV/X-Ray forscht und entwickelt in diesem Bereich an neuartigen Laborstrahlungsquellen, Messtechnik und lithographischen Techniken für Forschung und Anwendung.
Das Laser Zentrum Hannover e. V. ist federführend eingebunden in das europäische Cost-Netzwerk, an dem derzeit etwa 100 Wissenschaftler aus 40 Instituten, Universitäten, Industrieforschung und öffentlichen Forschungseinrichtungen in 15 europäischen Ländern mitarbeiten. In vier Arbeitsgruppen werden Konzepte und Strategien für neuartige Strahlungsquellen im EUV- und Röntgenspektralbereich und deren Anwendung diskutiert und erarbeitet. Das Laser Zentrum Hannover e. V. ist hier durch Mitwirkung in den Arbeitsgruppen und als Vertreter Deutschlands im Management Committee maßgeblich vertreten, das das Konsortium führt.
Arbeitsschwerpunkte
- Entwicklung und Anwendung von Röntgenstrahlungsquellen und Quellen im harten ultravioletten Spektralbereich (EUV)
- Charakterisierung von optischen Systemen von Proben
- EUV- und Röntgenmesstechnik
- Materialuntersuchung
- Design und Aufbau messtechnischer Einrichtungen
Eine laufende Fragestellung ist die Charakterisierung von EUV-Optiken für die Industrie. Während Standardoptiken mit dem bereits beschriebenen EUV-Reflektometer schnell und einfach vermessen werden können, werden für Spezialoptiken besondere Messvorrichtungen benötigt. Aufbauend auf den Erfahrungen mit einem zuvor ausgelieferten EUV-Reflektometer für Wolter-Shell-Type-I-Kollektoren, die in Gasentladungsstrahlungsquellen genutzt werden, wurde ein Konzept für die Charakterisierung von Multilayer-beschichteten Kollektoren (LPP) erfolgreich erprobt.
Ein weiterer Forschungsschwerpunkt ist die Miniaturisierung der messtechnischen Einrichtungen und lithographischen Aufbauten, mit dem Ziel, Technologien, die aufgrund ihrer Größe und Kosten sonst nur in Großeinrichtungen zu Verfügung stehen, auch für die tägliche Forschung in universitären oder industriellen Forschungslaboren verfügbar zu machen. Zu diesem Zweck wurde ein solches System bei weitgehender Erhaltung der technischen Spezifikation kompakt und günstig aufgebaut und charakterisiert.
Highlights
- Präsentation EUV sources for metrology, European Cost Meeting 13. – 16. Mai 2009, Salamanca, Spanien
- Präsentation Characterization of Performance and Lifetime of EUV Source Collectors With a Full-Size EUVCollector Reflectometer, EUVL International Symposium on Extreme Ultraviolet Lithography 2009, 18. – 21. Oktober 2009, Prag, Tschechien
- Präsentation Novel concept for a LPP-collector reflectometer, European Cost Meeting 23. – 25. November 2009, Smolenice, Slowakei